发明名称 静电放电的保护元件结构
摘要 本发明提供一种静电放电保护元件结构。该ESD保护元件结构设置于一基底上,且该ESD保护元件结构包括至少一第一导电类型金属氧化半导体(MOS)、至少一第二导电类型扩散区域、以及至少一虚置栅极。其中该第一导电类型MOS的漏极与源极分别电连接于一第一电源端以及一第二电源端,且该虚置栅极设于该第一导电类型MOS与该第二导电类型扩散区域之间。此外,该虚置栅极的栅极长度(gate length)小于该第一导电类型MOS的栅极的栅极长度,以使该第二导电类型扩散区域与该第一导电类型MOS的漏极的结具有一低击穿电压。
申请公布号 CN1897271A 申请公布日期 2007.01.17
申请号 CN200510082582.3 申请日期 2005.07.11
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 高境鸿
分类号 H01L23/60(2006.01);H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L23/60(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种静电放电保护元件结构,该静电放电保护元件结构设置于一基底上,且该静电放电保护元件结构包括:至少一第一导电类型金属氧化半导体,且该第一导电类型MOS的漏极与源极则分别电连接于一第一电源端以及一第二电源端;至少一第二导电类型扩散区域;以及至少一虚置栅极,设于该第一导电类型MOS与该第二导电类型扩散区域之间,以使该第二导电类型扩散区域与该第一导电类型MOS的漏极的结具有一低击穿电压。
地址 台湾省新竹科学工业园区