| 发明名称 | 一种集成电路的电感 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种集成电路的电感，其包含一个基板、至少一个深N阱、至少一个P阱、至少一个下通道、至少一个第一金属线圈；其中，N型深阱位于该基板上方；P阱位于该N型深阱上方；下通道位于该P阱上方；第一金属线圈位于该下通道上方，且该第一金属线圈可在邻近处与数个连接孔连接，其中至少有一个连接孔的一端与该下通道连接。本发明的集成电路的电感具有较高的Q值，应用于线宽为0.25微米以下的制作工艺，此外，本发明技术提供的集成电路的电感更具有一个N型深阱，可有效延后自我共振频率使得该集成电路的电感具有较高频宽。 | ||
| 申请公布号 | CN1295718C | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200310122886.9 | 申请日期 | 2003.12.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈真 |
| 分类号 | H01F17/00(2006.01);H01L27/01(2006.01);H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | H01F17/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 竺明;谢晋光 |
| 主权项 | 1.一种集成电路的电感，其包含：一个基板；至少一个N型深阱，该N型深阱位于该基板上方；至少一个P阱，该P阱位于该N型深阱上方；至少一个下通道，其位于该P阱上方；以及至少一个第一金属线圈，其位于该下通道上方，且该第一金属线圈可在邻近处与数个连接孔连接，其中至少有一个连接孔的一端与该下通道连接。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||