| 发明名称 | 含有低K电介质的半导体器件用的电子封装材料 | ||
| 摘要 | 提供含有低K电介质的半导体器件用的电子封装材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1898794A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200480038370.9 | 申请日期 | 2004.11.09 |
| 申请人 | 汉高公司 | 发明人 | 麦克尔·G.·托德;詹姆斯·T.·汉尼克;劳伦斯·N.·克雷恩;戈登·C.·费舍 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/16(2006.01);H01L21/58(2006.01);H01L21/60(2006.01);C08K3/08(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1、一种改进包括至少一层低K ILD的底层填充型半导体器件的可靠性的方法，该方法的步骤包括：提供半导体器件，该半导体器件包括：包括铜电互连和其内至少一层低K ILD及其表面金属化的半导体芯片；以及在其表面上装有使半导体芯片通过导电材料与铜电互连电互连的电接触焊接区的载体衬底；在半导体芯片和载体衬底的电互连表面之间设置热固性底层填料组分，以构成半导体器件组件；以及使半导体器件组件暴露在足以使热固性底层填料组分固化的高温环境下，其中热固性底层填料组分包括可固化树脂组成部分和填料组成部分，其中填料组成部分是按足以构成在固化时具有小于大约25ppm/℃热膨胀系数或者大于50ppm/℃热膨胀系数的热固性底层填料组分的量提供的，并且在固化时热固性底层填料组分具有10MPa/℃至大约-10MPa/℃范围内的模量对-65℃～125℃温度的比值。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||