发明名称 经位线屏蔽而改善电荷保持的半导体存储装置
摘要 本发明涉及具有用于驱动包含存储电容的选择晶体管的位线(1)的半导体存储装置。运用导电屏蔽构件(5)在相邻位线(1)之间的屏蔽导致位线-位线耦合的减小,使得即使在不使用要占用芯片面积的例如位线绞合的技木时也能够改善电荷保持时间。
申请公布号 CN1897281A 申请公布日期 2007.01.17
申请号 CN200610081951.1 申请日期 2006.05.11
申请人 英飞凌科技股份公司 发明人 R·怀斯
分类号 H01L27/108(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L27/108(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;魏军
主权项 1.一种半导体存储装置,设有:多个位线,它们相互靠近地排列,并在半导体衬底上延伸;绝缘结构,该结构至少侧向地邻接所述位线;形成在相互靠近地排列的两个位线之间的各导电屏蔽构件,所述导电屏蔽构件离位线一定距离,并且至少部分地邻接所述绝缘结构,其中,形成所述导电屏蔽构件,实现如下两种状态中的至少一种:包含比所述位线的下侧离所述半导体衬底近的下侧和包含比所述位线的上侧离所述半导体衬底远的上侧。
地址 德国慕尼黑