| 摘要 |
一种半导体元件的制造方法，包含：提供一基底，其中该基底具有一核心区与一周边线路区，其中该核心区具有一第一闸极于该基底上，及该周边线路区具有一第二闸极于该基底上；形成一第一绝缘层，以覆盖该第一闸极、该第二闸极及该基底，其中该第一绝缘层系包含氮化矽；形成一第二绝缘层，以覆盖该第一绝缘层，其中该第二绝缘层系包含氧化矽；蚀刻部分之该第二绝缘层，以在该第一闸极及该第二闸极侧壁之第一绝缘层表面形成一间隔物，并暴露出位在该第一闸极、该第二闸极上方、及该基底表面之该第一绝缘层；形成一光阻层，以覆盖该周边线路区，露出该核心区；移除位在该核心区内之该间隔物；移除该光阻层；以及蚀刻该第一绝缘层，以移除位在该基底表面之第一绝缘层，留下剩余之第一绝缘层以覆盖该第一闸极侧壁。 |
