发明名称 具有侧通道以及位于相对面之接触区之半导体装置
摘要 本发明揭示一种具有侧通道之半导体装置及其形成方法,该侧通道之相对面上具有接触区。在一实施例中,该半导体装置包含一传导基板,其具有一覆盖其大部分底面之第一接触区。该半导体装置亦包含在该传导基板上之侧通道。该半导体装置进一步包含一在该侧通道上之第二接触区。该半导体装置上进一步包含一连接该侧通道至该传导基板之互连接。该互连接可操作用以提供耦合于该第一接触区与该侧通道间之低电阻。
申请公布号 TW200703642 申请公布日期 2007.01.16
申请号 TW095110705 申请日期 2006.03.28
申请人 寇德瓦特公司 发明人 宾瑞得;韩娃尼
分类号 H01L29/76(2006.01) 主分类号 H01L29/76(2006.01)
代理机构 代理人 黄庆源;何爱文
主权项
地址 美国