半导体装置及其形成方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包含：一闸介电层于一基底中的一通道区上；一闸极于上述闸介电层上；一闸极介电层置于上述闸极的侧缘；以及实质上与上述闸极介电层的侧缘对齐的一源／汲极区。其中上述源／汲极区具有：第一掺杂区与上述闸极部分重叠；第二掺杂区，其与上述通道区的距离大于该第一掺杂区与上述通道区的距离；以及第三掺杂区，其与上述通道区的距离大于上述第二掺杂区与上述通道区的距离。上述源／汲极区较好为具有与上述闸极间隔物有一既定间隔的磊晶区。