发明名称 半导体积体电路装置
摘要 目的在于提供一种可实现增大写入次数、具有高信赖性之半导体非挥发性记忆装置。在具有第1电极155与第2电极154所挟持资讯记忆部的记忆格中,进行电流由第1电极155流向第2电极154之动作,以及电流由第2电极154流向第1电极155之动作。因第1脉冲171而产生组成偏析,但藉由第2脉冲172之施加可消除组成偏析,组成可回复原来状态。
申请公布号 TW200703619 申请公布日期 2007.01.16
申请号 TW094145274 申请日期 2005.12.20
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 黑土健三;伊藤清男;高浦则克;长田健一
分类号 H01L27/10(2006.01) 主分类号 H01L27/10(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本