用于程式化、抹除及读取奈米级电阻性记忆体装置之页缓冲器架构

摘要

于程式化和抹除电阻性记忆体装置阵列之电阻性记忆体装置(30)之本方法中，基于单一命令，提供高电流于程式化和抹除功能，以仅程式化和抹除其状态将从其先前状态改变之该等记忆体装置(30)。