记忆体装置及半导体积体电路

摘要

第1电极层，包括互相平行延长的复数的第1电极线(W1,W2)。状态可变层，包括在第1电极层上形成且显示二极体特性和可变电阻特性的复数的状态可变体(60–11,60–12,60–21,60–22)。第2电极层，包括在状态可变层上形成且互相平行延长的复数的第2电极线(B1,B2)。复数的第1电极线和复数的第2电极线，从叠层方向看时夹着状态可变层互相交叉。状态可变体(60–11)，在第1电极线(W1)和第2电极线(B1)交叉的位置，在该第1电极线和第2电极线之间形成。