| 主权项 |
1.一种可修复的导线结构,包括: 至少两个外部导电部分; 一内部导电部分,设置于该些外部导电部分间,其 中该些外部导电部分和该内部导电部分系分别藉 由二个沟槽分隔;及 至少一连接部分,对应于每一沟槽,用以连接邻接 于沟槽之对应的的外部导电部分及该内部导电部 分。 2.如申请专利范围第1项所述之可修复的导线结构, 其中该连接部分之厚度较该些外部导电部分及该 内部导电部分薄。 3.如申请专利范围第1项所述之可修复的导线结构, 其中该可修复的导线结构系设置于一液晶显示面 板上。 4.如申请专利范围第1项所述之可修复的导线结构, 其中该些外部导电部分、该内部导电部分以及该 连接部分系由导电材料所组成。 5.如申请专利范围第4项所述之可修复的导线结构, 其中该导电材料系择自下列元素或化合物所组成 之族群:钽、钨、铬、铝、铟锡氧化物(ITO)和上述 之组合。 6.如申请专利范围第1项所述之可修复的导线结构, 其中该内部导电部分的宽度较该些外部导电部分 的宽度为宽。 7.如申请专利范围第1项所述之可修复的导线结构, 其中该连接部分系设置于该可修复的导线之末端 。 8.如申请专利范围第1项所述之可修复的导线结构, 其中该连接部分系设置于该可修复的导线之中间 部位。 9.一种可修复的导线结构,包括: 一第一导电层,包括至少两个外部导电部分和一设 置于该些外部导电部分间之内部导电部分,其中该 些外部导电部分及该外部导电部分系分别由两个 沟槽分隔,该第一导电层还包括至少一连接部分, 对应于每一沟槽,用以连接相邻的外部导电部分以 及该内部导电部分; 一介电层,设置于该第一导电层上,其中该介电层 不覆盖该些沟槽及该些连接部分; 一第二导电层,设置于该介电层上,其中该第二导 电层不覆盖该些沟槽及该些连接部分;及 一第三导电层,设置于该第二导电层上,其中该第 三导电层不覆盖该些沟槽。 10.如申请专利范围第9项所述之可修复的导线结构 ,其中该可修复的导线结构系设置于一液晶显示面 板上。 11.如申请专利范围第9项所述之可修复的导线结构 ,其中该第三导电层系由透明导电材料所形成。 12.如申请专利范围第9项所述之可修复的导线结构 ,其中该些内部导电部分的宽度较该外部导电部分 的宽度为宽。 13.如申请专利范围第9项所述之可修复的导线结构 ,其中该介电层系为氮化矽。 14.如申请专利范围第9项所述之可修复的导线结构 ,其中该第一导电层及该第二导电层系由导电材料 所形成。 15.如申请专利范围第14项所述之可修复的导线结 构,其中该导电材料系择自下列元素或化合物所组 成之族群:钽、钨、铬、铝、铟锡氧化物(ITO)和上 述之组合。 16.如申请专利范围第10项所述之可修复的导线结 构,其中该第一导电层系和该液晶显示面板的一薄 膜电晶体之一闸电极层同时形成。 17.如申请专利范围第10项所述之可修复的导线结 构,其中该介电层系和该薄膜电晶体之一闸极介电 层同时形成。 18.如申请专利范围第10项所述之可修复的导线结 构,其中该第二导电层系和该薄膜电晶体之源极/ 汲极电极同时形成。 19.如申请专利范围第10项所述之可修复的导线结 构,其中该第三导电层系和该液晶显示面板之画素 电极同时形成。 20.如申请专利范围第11项所述之可修复的导线结 构,其中该透明导电材料系为ITO。 图式简单说明: 第1图系显示习知导线包含一颗粒于两导线间之平 面图。 第2图系显示习知导线于接合过程中产生对位误差 之平面图。 第3图系显示本发明第一实施例之导线结构之平面 图。 第4图系显示本发明第一实施例包含一颗粒位于两 导线间之平面图。 第5图系显示本发明第一实施例于接合过程中产生 对位误差之平面图。 第6A图系显示本发明第二实施例之导线结构之平 面图。 第6B图系显示本发明第二实施例之另一导线结构 之平面图。 第7A图系显示本发明第三实施例之导线结构之平 面图。 第7B图系为沿第7A图7B-7B'之剖面线之剖面图。 第7C图系为沿第7A图7C-7C'之剖面线之剖面图。 |
