| 主权项 |
1.一种适用于可变容量电容器及放大器的半导体 装置,包括: 半导体基板; 第1导电型之井区区域,形成于上述半导体基板之 表面区域内; 复数元件分隔区域,形成于上述井区区域内; 第2导电型之半导体层,形成于藉由上述元件分隔 区域所分隔开的上述井区区域之第1区域内,上述 半导体层系电容器之第1电极;以及 第1导电型之低电阻区域,设置于上述井区区域之 底部,上述低电阻区域之电阻値系低于上述井区区 域之电阻値。 2.如申请专利范围第1项所述之适用于可变容量电 容器及放大器的半导体装置,其中更包括: 第1导电型之半导体层,形成于藉由上述元件分隔 区域所分隔开的上述井区区域之第2区域内,上述 第1导电型之半导体层系电容器之第2电极。 3.如申请专利范围第1项所述之适用于可变容量电 容器及放大器的半导体装置,其中 上述低电阻区域,系未跟上述半导体层及上述井区 区域的接合部分之空乏层接触、而接触于上述元 件分隔区域。 4.如申请专利范围第2项所述之适用于可变容量电 容器及放大器的半导体装置,其中 上述低电阻区域系于上述井区区域之底部中,由上 述第1导电型之半导体层延伸至第2导电型之半导 体层来配置。 5.如申请专利范围第1项所述之适用于可变容量电 容器及放大器的半导体装置,其中 上述低电阻区域之掺质浓度,系设定为上述井区区 域之掺质浓度的2倍以上。 6.如申请专利范围第5项所述之适用于可变容量电 容器及放大器的半导体装置,其中 上述低电阻区域之掺质浓度,系设定为11018cm-3以 上。 7.一种适用于可变容量电容器及放大器的半导体 装置,包括: 半导体基板; 第1导电型之井区区域,形成于上述半导体基板之 表面区域内; 复数元件分隔区域,形成于上述井区区域内; MOS电晶体,形成于藉由上述元件分隔区域所分隔开 的上述井区区域之第1区域内;以及 第1导电型之低电阻区域,设置于上述井区区域之 底部,并比上述井区区域之电阻値为低。 8.如申请专利范围第7项所述之适用于可变容量电 容器及放大器的半导体装置,其中更包括: 第1导电型之半导体层,形成于藉由上述元件分隔 区域所分隔开的上述井区区域之第2区域内。 9.如申请专利范围第7项所述之适用于可变容量电 容器及放大器的半导体装置,其中 上述低电阻区域,系未跟上述MOS电晶体的源极/汲 极区域及上述井区区域的接合部分之空乏层接触 、而接触于上述元件分隔区域。 10.如申请专利范围第8项所述之适用于可变容量电 容器及放大器的半导体装置,其中 上述低电阻区域系于上述井区区域之底部中,由上 述第1导电型之半导体层延伸至第2导电型之半导 体层来配置。 11.如申请专利范围第7项所述之适用于可变容量电 容器及放大器的半导体装置,其中: 上述低电阻区域之掺质浓度,系设定为上述井区区 域之掺质浓度的2倍以上。 12.如申请专利范围第11项所述之适用于可变容量 电容器及放大器的半导体装置,其中 上述低电阻区域之掺质浓度,系设定为11018cm-3以 上。 13.一种适用于可变容量电容器及放大器的半导体 装置,包括: 半导体基板; 第1导电型之井区区域,形成于上述半导体基板之 表面区域内; 复数元件分隔区域,形成于上述井区区域内; 第2导电型之基底层,形成于藉由上述元件分隔区 域所分隔开的上述井区区域上,上述井区区域系双 极性电晶体之第1电极; 第1导电型之第2电极,形成于上述基底层之上;以及 第1导电型之低电阻区域,设置于上述井区区域之 底部,上述低电阻区域之电阻値系低于上述井区区 域之电阻値。 14.如申请专利范围第13项所述之适用于可变容量 电容器及放大器的半导体装置,其中 上述低电阻区域,系未跟上述双极性电晶体的接合 部分之空乏层接触、而接触于上述元件分隔区域 。 15.如申请专利范围第13项所述之适用于可变容量 电容器及放大器的半导体装置,其中更包括: 第1导电型之半导体层,形成于藉由上述元件分隔 区域所分隔开的上述井区区域之第2区域内,且 上述低电阻区域系于上述井区区域之底部中,由上 述第1导电型之半导体层延伸至第2导电型之半导 体层来配置。 16.一种适用于可变容量电容器及放大器的半导体 装置,包括: 半导体基板; 第1井区区域,形成于上述半导体基板之表面区域 内; 第2井区区域,形成于上述半导体基板之表面区域 内; 类比电路,形成于上述第1井区区域内; 数位电路,形成于上述第2井区区域内; 第1导电型之低电阻区域,设置于上述第1井区区域 之底部,上述第1导电型之低电阻区域之电阻値系 低于上述第1井区区域之电阻値。 17.如申请专利范围第16项所述之适用于可变容量 电容器及放大器的半导体装置,其中 上述低电阻区域之掺质浓度,系设定为上述井区区 域之掺质浓度的2倍以上。 18.如申请专利范围第16项所述之适用于可变容量 电容器及放大器的半导体装置,其中 上述低电阻区域之掺质浓度,系设定为11018cm-3以 上。 19.如申请专利范围第17项所述之适用于可变容量 电容器及放大器的半导体装置,其中 设置有上述类比电路的第1井区区域之掺质浓度, 系设定为高于设置有上述数位电路的第2井区区域 之掺质浓度。 图式简单说明: 第1图系表示本发明第1实施例之可变容量电容器 的剖面图。 第2图系表示第1图所示装置之制造方法的剖面图 。 第3图系表示接续第2图之制造步骤的剖面图。 第4图系表示第1图重要部分之掺质浓度图。 第5图系表示本发明第2实施例之可变容量电容器 的剖面图。 第6图系表示本发明第3实施例之可变容量电容器 的剖面图。 第7图系表示第6图所示装置之制造方法的剖面图 。 第8图系表示本发明第4实施例之可变容量电容器 的剖面图。 第9图系表示第8图所示装置之制造方法的剖面图 。 第10图系表示接续第9图之制造步骤的剖面图。 第11图系表示本发明第5实施例之放大器的剖面图 。 第12图系第11图所示装置之等效电路图。 第13图系表示本发明第6实施例之电压控制振荡器 之一例的电路图。 第14图系表示第13图重要部分的剖面图。 第15图系表示本发明第7实施例之双极性电晶体之 一例的剖面图。 第16图系表示本发明第7实施例之类比/数位混载半 导体装置之一例的剖面图。 第17图系表示一般的可变容量电容器之一例的剖 面图。 第18图系表示第17图所示之可变容量电容器之特性 图。 第19图系表示一般的放大器之一例的剖面图。 第20图系表示第19图所示之放大器之特性图。 第21图系表示一般的类比/数位混载半导体装置之 一例的剖面图。 第22图系表示第21图所示之类比/数位混载半导体 装置之特性图。 |
