| 主权项 |
1.一种细胞培养装置,其系至少包括: 一个以上之腔室; 一填充结构,系设置于前述一个以上之腔室中,用 以充填生长基材以接受至少一个以上之细胞以及 允许细胞贴附及∕或附着;其并可与前述一个以上 之腔室相连通,使前述生长基材间歇性地沈浸于培 养基或暴露于空气中;以及 一气泡排除结构,系设置于前述填充结构壁缘,用 以防止培养过程中产生之气泡干扰细胞及∕或生 长基材。 2.如申请专利范围1项所述之细胞培养装置,其中前 述之气泡排除结构系选自:阶梯式斜板结构、鳍片 式结构、排气通道、压力式感应阀件以及任何可 排除气泡产生之类似结构单独或搭配使用。 3.如申请专利范围第1项所述之细胞培养装置,其进 一步可包含:空气帮浦、进料帮浦、出料帮浦、培 养基容器、产物收集容器、压力感应式阀件、计 时器等单元。 4.一种细胞培养装置,至少包含: 一外腔室; 一内腔室;系可与前述外腔室相连通,使培养基经 由一联络装置及∕或薄膜于内外腔室间自由移动; 一填充结构,系设置于前述外腔室中,用以填充生 长基材以接受至少一个以上之细胞以及允许细胞 贴附及∕或附着;其并可与前述内腔室相连通,使 前述生长基材系可因压力而间歇性地沈浸于培养 基或暴露于空气中;以及 一气泡排除结构,系设置于前述填充结构壁缘,用 以防止培养过程中产生之气泡干扰细胞及∕或生 长基材。 5.如申请专利范围4项所述之细胞培养装置,其中前 述气泡排除结构可选择性地设置于内腔室或外腔 室。 6.如申请专利范围4项所述之细胞培养装置,其中前 述之气泡排除结构系选自:阶梯式斜板结构、鳍片 式结构、排气通道、压力式感应阀件以及任何可 排除气泡产生之类似结构单独或搭配使用。 7.如申请专利范围第4项所述之细胞培养装置,其进 一步可包含:空气帮浦、进料帮浦、出料帮浦、培 养基容器、产物收集容器、压力感应式阀件、计 时器等单元。 8.一种细胞培养装置,其至少包含: 一外腔室; 一内腔室;系可与前述外腔室相连通,使培养基经 由一联络装置及∕或薄膜于内外腔室间自由移动; 一填充结构,系设置于前述外腔室中,用以填充生 长基材以接受至少一个以上之细胞以及允许细胞 贴附及∕或附着;其并可与前述内腔室相连通,使 前述生长基材系可因压力而间歇性地沈浸于培养 基或暴露于空气中;以及 一阶梯式斜板结构,系设置于前述外腔室中之前述 填充结构壁缘,以阻隔培养过程中产生之气泡。 9.如申请专利范围第8项所述之细胞培养装置,其中 前述之阶梯式斜板结构系为一气泡排出结构。 10.如申请专利范围第8项所述之细胞培养装置,其 进一步可包含:空气帮浦、进料帮浦、出料帮浦、 培养基容器、产物收集容器、压力感应式阀件、 计时器等单元。 11.一种细胞培养装置,其至少包含: 一外腔室; 一内腔室;系可与前述外腔室相连通,使培养基经 由一联络装置及∕或薄膜于内外腔室间自由移动; 一填充结构,系设置于前述外腔室中,用以填充生 长基材以接受至少一个以上之细胞以及允许细胞 贴附及∕或附着;其并可与前述内腔室相连通,使 前述生长基材系可因压力而间歇性地沈浸于培养 基或暴露于空气中;以及 一鳍片式结构,系设置于前述填充结构壁缘,以阻 隔培养过程中产生之气泡。 12.如申请专利范围第11项所述之细胞培养装置,其 中前述之鳍片式结构系为一气泡排出结构。 13.如申请专利范围第11项所述之细胞培养装置,其 进一步可包含:空气帮浦、进料帮浦、出料帮浦、 培养基容器、产物收集容器、压力感应式阀件、 计时器等单元。 14.一种细胞培养装置,其至少包含: 一外腔室; 一内腔室;系可与前述外腔室相连通,使培养基经 由一联络装置及/或薄膜于内外腔室间自由移动; 一填充结构,系设置于前述外腔室中,用以填充生 长基材以接受至少一个以上之细胞以及允许细胞 贴附及∕或附着;其并可与前述内腔室相连通,使 前述生长基材系可因压力而间歇性地沈浸于培养 基或暴露于空气中;以及 一排气通道,系设置于前述内腔室顶部,以排除培 养过程中产生之气泡。 15.如申请专利范围第14项所述之细胞培养装置,其 进一步包含一浮板膈膜结构设置于前述排气通道 下方,可将排气通道阻断,以防止培养基流出内腔 室而污染空气滤网。 16.如申请专利范围第14项所述之细胞培养装置,其 进一步可包含:空气帮浦、进料帮浦、出料帮浦、 培养基容器、产物收集容器、压力感应式阀件、 计时器等单元。 17.一种细胞培养装置,其至少包含: 一外腔室; 一内腔室;系可与前述外腔室相连通,使培养基经 由一联络装置及∕或薄膜于内外腔室间自由移动; 一填充结构,系设置于前述外腔室中,用以填充生 长基材以接受至少一个以上之细胞以及允许细胞 贴附及∕或附着;其并可与内腔室相连通,使前述 生长基材系可因压力而间歇性地沈浸于培养基或 暴露于空气中;以及 一压力感应式阀件,系设置于前述内腔室之开口处 ,以排除培养过程中产生之气泡。 18.如申请专利范围第17项所述之细胞培养装置,其 中前述之压力感应式阀件系为一气泡排出结构。 19.如申请专利范围第17项所述之细胞培养装置,其 中前述之压力感应式阀件系可进一步搭配一计时 器,使该压力感应式阀件采脉冲式启闭。 20.如申请专利范围第17项所述之细胞培养装置,其 进一步可包含:空气帮浦、进料帮浦、出料帮浦、 培养基容器、产物收集容器、计时器等单元。 21.如申请专利范围第3项、第7项、第10项、第13项 或第16项所述之细胞培养装置,其中前述空气帮浦 导入腔室过程中可以选择性的装设一空气滤网以 防止污染。 22.如申请专利范围第1项、第4项、第8项、第11项 、第14项或第17项所述之细胞培养装置,其系可作 二维或三维组织之培养。 23.如申请专利范围第1项、第4项、第8项、第11项 、第14项或第17项所述之细胞培养装置,其中前述 腔室系为玻璃、金属或高分子材质。 24.如申请专利范围第1项、第4项、第8项、第11项 、第14项或第17项所述之细胞培养装置,其中前述 之生长基材可选自下列群组:陶瓷、生物可分解基 质、高分子聚合物、编织基材、非编织基材、聚 醯胺、聚酯、聚氨酯、碳氟聚合物、聚乙烯、聚 丙烯或聚乙烯醇、三甲胺、玻璃、矽与二乙氨乙 基。 25.如申请专利范围第1项、第4项、第8项、第11项 、第14项或第17项所述之细胞培养装置,其中前述 生长基材可为碟状、薄片、块状、盘状、片状、 带状、粒状、半透性颗粒、半透性膜或半透性中 空纤维。 26.如申请专利范围第1项、第4项、第8项、第11项 、第14项或第17项所述之细胞培养装置,其中前述 细胞可选自下列群组:原核细胞、真核细胞、动物 细胞、哺乳动物细胞、人类细胞、细菌及霉菌。 27.一种细胞培养方法,主要系利用贴附及∕或附着 有细胞之生长基材,将该生长基材置入具有培养基 之腔室中,利用控制该腔室中培养基液面之高低, 使前述生长基材间歇性及∕或定期性的接触空气- 培养基之界面以获得氧气,其特征为藉由一气泡排 除结构以避免培养过程产生之气泡干扰前述腔室 内之细胞及生长基材。 28.如申请专利范围第27项所述之细胞培养方法,其 中前述气泡排除结构系选自:阶梯式斜板结构、鳍 片式结构、排气通道、压力式感应阀件以及任何 可排除气泡产生之类似结构单独或搭配使用。 29.如申请专利范围第27项所述之细胞培养方法,其 中前述排除气泡干扰之方式系为将腔室内产生之 多余空气或气泡藉由一阶梯式斜板结构将其导出 腔室。 30.如申请专利范围第27项所述之细胞培养方法,其 中前述排除气泡干扰之方式系为将腔室内产生之 多余空气或气泡藉由一鳍片式结构将其导出腔室 。 31.如申请专利范围第27项所述之细胞培养方法,其 中前述排除气泡干扰之方式系为将腔室内产生之 多余空气或气泡藉由一排气通道将其导出腔室。 32.如申请专利范围第31项所述之细胞培养方法,其 中前述排气通道进一步包含一浮板膈膜,当培养基 液位持续上升至推动前述浮板膈膜,可将前述排气 通道阻断,以防止培养基流出腔室而污染空气滤网 。 33.如申请专利范围第27项所述之细胞培养方法,其 中前述排除气泡干扰之方式系为将腔室内产生之 多余空气或气泡藉由一压力式感应阀件将其导出 腔室。 34.如申请专利范围第33项所述之细胞培养方法,其 中前述压力式感应阀件进一步可搭配一计时器使 该压力感应式阀件采脉冲式启闭。 35.如申请专利范围第27项所述之细胞培养方法,其 中前述之细胞可选自下列群组:原核细胞、真核细 胞、动物细胞、哺乳动物细胞、人类细胞、细菌 及霉菌。 36.如申请专利范围之第27项所述之细胞培养方法, 可作二维或三维组织之培养。 37.一种细胞培养方法,系使用前述申请专利范围第 1项、第4项、第8项、第11项、第14项或第17项所述 之细胞培养装置来培养细胞。 38.一种培养细胞以产生蛋白质之方法,系使用前述 申请专利范围第1项、第4项、第8项、第11项、第14 项或第17项所述之细胞培养装置来培养细胞以产 生蛋白质。 39.一种培养细胞以产生病毒之方法,系使用前述申 请专利范围第1项、第4项、第8项、第11项、第14项 或第17项所述之细胞培养装置来培养细胞以产生 病毒。 40.如申请专利范围第1项、第4项、第8项、第11项 、第14项或第17项所述之细胞培养装置,其系可选 择性的以自动化或以手动方式操作。 41.一种细胞培养方法,其系可利用如申请专利范围 第1项、第4项、第8项、第11项、第14项或第17项所 述之细胞培养装置,造成培养腔室内压力之固定或 梯度变化,以利于特定细胞之生长及∕或分化。 图式简单说明: 第一A图系显示本发明之细胞培养装置之第一个实 施例,其中空气帮浦未做动前,生长基材系暴露于 空气中之状态。 第一B图系显示本发明之细胞培养装置之第一个实 施例,其中空气帮浦做动后,生长基材浸泡于培养 基中之状态。 第二A图系显示本发明之细胞培养装置之第二个实 施例,其中空气帮浦未做动前,生长基材系暴露于 空气中之状态。 第二B图系显示本发明之细胞培养装置之第二个实 施例,其中空气帮浦做动后,生长基材浸泡于培养 基中之状态。 第三A图系显示本发明之细胞培养装置之第三个实 施例,其中空气帮浦未做动前,生长基材浸泡于培 养基中之状态。 第三B图系显示本发明之细胞培养装置之第三个实 施例,其中空气帮浦做动后,生长基材系暴露于空 气中之状态。 第四A图系显示本发明之细胞培养装置之第四个实 施例,其中空气帮浦未做动前,生长基材浸泡于培 养基中之状态。 第四B图系显示本发明之细胞培养装置之第四个实 施例,其中空气帮浦做动后,生长基材系暴露于空 气中之状态。 |
