| 发明名称 | 一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域，具体为碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆的制备方法如下：将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以6－15sccm的速率通入惰性气体保护，以5－15℃/min的速度将炉温升到1000－1100℃，保温1－5小时后自然降到室温。利用本发明所说的方法生成产物均为碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆，且长度比现有的方法制备的提高了2个量级，是迄今为止报道的最长的纳米电缆，且制备方法简单，原料便宜易得，设备要求简化，成本低，产率高。 | ||
| 申请公布号 | CN1892978A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200510027495.8 | 申请日期 | 2005.07.04 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 蔡克峰;雷强;张留成 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01B13/016(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆的制备方法，该方法步骤如下：将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以6-15sccm的速率通入惰性气体保护，以5-15℃/min的速度将炉温升到1000-1100℃，保温1-5小时后自然降到室温。 | ||
| 地址 | 200092上海市四平路1239号 | ||