| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底上方形成多晶硅层、硅化物层和硬掩模；利用硬掩模作为刻蚀阻挡层来刻蚀硅化物层；利用混合气体成型具有预定轮廓的硅化物层；和利用硬掩模作为刻蚀阻挡层来刻蚀多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1893019A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610090557.4 | 申请日期 | 2006.06.27 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 南基元;金洗镇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上方形成多晶硅层、硅化物层和硬掩模；利用硬掩模作为刻蚀阻挡层来刻蚀硅化物层；利用混合气体成型具有预定轮廓的硅化物层；和利用硬掩模作为刻蚀阻挡层来刻蚀多晶硅层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||