半导体晶片的热处理方法

摘要

提供了一种半导体晶片热处理方法，采用该方法可以使被处理物即半导体晶片不破损地进行热处理。该方法在通过预热装置对半导体晶片进行达到预定温度的预热之后，再用由闪光放电灯构成的闪光辐射装置进行加热处理，其特征在于：采用预热装置进行加热，预热温度被加以控制，以使用闪光辐射装置加热时的半导体晶片的最大拉伸应力低于半导体晶片自身的拉伸极限强度。

主权项

1.一种半导体晶片热处理方法，该方法用预热装置将半导体晶片加热至预定温度后，再用由闪光放电灯构成的闪光辐射装置进行加热处理，其特征在于：所述闪光辐射装置照射所述半导体晶片的闪光的照射波形的上升速度为2.0×105J/mm2·s2以上，峰值能量为200J/mm2·s以下，根据预热温度由预热装置进行加热，所述预热温度被加以控制，以使得在用闪光辐射装置加热时，在距离被该闪光辐射装置的闪光照射的半导体晶片表面0.18～0.28mm的范围内发生的拉伸应力的最大值低于半导体晶片自身的拉伸极限强度。