| 发明名称 | 制造氮化氧化硅栅极介质的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造栅极介质层的方法，包括以下步骤：提供衬底(100)；在衬底的上表面(105)上形成二氧化硅层(110)；在还原气氛中执行等离子体氮化以将二氧化硅层转变为氧氮化硅层(110A)。这样形成的介质层可以用于制造MOSFET(145)。 | ||
| 申请公布号 | CN1894781A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200480024395.3 | 申请日期 | 2004.08.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·S·伯纳姆;J·S·纳科斯;J·J·昆利万;B·小罗克;S·M·尚克;B·A·沃德 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种制造栅极介质层的方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底的上表面上形成二氧化硅层；在还原气氛中执行等离子体氮化以将所述二氧化硅层转变为氧氮化硅层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||