发明名称 |
可变跨导电路 |
摘要 |
本发明提供一种可变跨导电路。所述可变跨导装置,包括电压-电流转换电路,输出相对于输入电压信号(Vi)为线性的电流信号;第1MOS晶体管和第2MOS晶体管(M1、M2),输入上述电流信号,转换成进行了平方根压缩的电压信号;以及第3MOS晶体管和第4MOS晶体管(M3、M4),将上述进行了平方根压缩的电压信号转换成线性电流信号,通过分别使第1MOS晶体管和第2MOS晶体管(M1、M2)的偏置电流(Ia)、与第3MOS晶体管和第4MOS晶体管(M3、M4)的偏置电流(Ib)发生变化来控制gm,能够在1个电路中以3V左右的低电源电压实现20倍左右的可变gm,并能够解决功耗、安装电路面积的增大的问题。 |
申请公布号 |
CN1893262A |
申请公布日期 |
2007.01.10 |
申请号 |
CN200610101729.3 |
申请日期 |
2006.07.07 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
森川浩安;片田真三康;西中麻里绘 |
分类号 |
H03F3/45(2006.01);G11B7/09(2006.01) |
主分类号 |
H03F3/45(2006.01) |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 |
代理人 |
季向冈 |
主权项 |
1.一种可变跨导电路,其特征在于:包括电压-电流转换电路,输出相对于输入电压信号为线性的电流信号;第1MOS晶体管和第2MOS晶体管,接收上述电流信号,转换成进行了平方根压缩的电压信号;以及第3MOS晶体管和第4MOS晶体管,将上述进行了平方根压缩的电压信号转换成线性电流信号,分别使上述第1MOS晶体管和第2MOS晶体管的偏置电流与上述第3MOS晶体管和第4MOS晶体管的偏置电流发生变化来控制跨导。 |
地址 |
日本大阪府 |