PLAQUE ACTIVE D'ECRAN PLAT

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication de la plaque active d'un écran plat matriciel, dans lequel chaque cellule comprend une plaque d'électrode (1) connectée par un transistor (2) à une première ligne conductrice, comprenant les étapes suivantes :prévoir une excroissance (11) enrobée d'isolant de chaque première ligne conductrice au niveau de chaque cellule ;graver ou rendre poreuse une partie d'extrémité de chaque excroissance ;faire croître par un procédé VLS une structure semiconductrice PIP ou NIN dans chaque partie d'extrémité gravée ou rendue poreuse ; etétablir un contact à l'extrémité libre de la structure semiconductrice et former une grille au niveau de la partie médiane de la structure semiconductrice.