发明名称 Mikrolithografisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens
摘要 Bei einem erfindungsgemäßen Belichtungsverfahren zur Erzeugung eines Bildes eines in der Objektfläche eines Projektionsobjektivs angeordneten Musters in der Bildfläche des Projektionsobjektivs wird die Maske mit Hilfe des Beleuchtungssystems mit Beleuchtungsstrahlung beleuchtet. Dadurch entsteht hinter der Maske eine durch die Maske veränderte Strahlung, die in das Projektionsobjektiv eintritt. Das Projektionsobjektiv wird mit dieser Strahlung durchstrahlt. Im Bereich mindestens einer Pupillenfläche des Projektionsobjektivs wird eine astigmatische Veränderung dr von der Maske veränderten Strahlung bewirkt, wobei die astigmatische Veränderung so ausgelegt ist, dass eine zu richtungsabhängigen Kontrastunterschieden führende Anistropie von Eigenschaften der auf die Bildfläche auftreffenden Strahlung mindestens teilweise kompensiert wird. Die astigmatische Veränderung kann beispielsweise mit Hilfe einer elliptischen Blende oder eines elliptischen Transmissionsfilters erreicht werden.
申请公布号 DE102005031084(A1) 申请公布日期 2007.01.04
申请号 DE200510031084 申请日期 2005.06.28
申请人 CARL ZEISS SMT AG 发明人 DIECKMANN, NILS;MAUL, MANFRED
分类号 G03F7/20;G02B27/00;G03B17/00 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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