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发明名称 Halbleiterelement mit verbesserten Dotierprofilen und ein Verfahren zur Herstellung der Dotierprofile eines Halbleiterelements
摘要
申请公布号 DE10250888(B4) 申请公布日期 2007.01.04
申请号 DE20021050888 申请日期 2002.10.31
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC. 发明人 FEUDEL, THOMAS;HORSTMANN, MANFRED;STEPHAN, ROLF
分类号 H01L21/322;H01L21/265;H01L21/336 主分类号 H01L21/322
代理机构 代理人
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