垂直第III族氮化物发光装置及其制造方法VERTICAL GROUP III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

摘要

本案提供垂直第III族氮化物发光装置及其制造方法。该发光装置包括：导电性(conductive)基材；堆叠在该导电性基材上面的p型包覆层；堆叠在该p型包覆层上面的主动层；堆叠在该主动层上面的n型掺杂之(n–doped)AlxGayInl–x–yN层；堆叠在该n型掺杂层上面的未掺杂之(undoped)GaN层；以及在该未掺杂之GaN层上面形成的n型电极。该未掺杂之GaN层具有在其顶部表面上形成的粗糙图案。