具有抗反射披覆的光二极体

摘要

一种形成有效率之光二极体的方法，其包括以下的步骤：提供在至少一部分上具有p表面区域的基板，将浅的n型表面层植入表面区域，以及形成多层的第一抗反射(AR)披覆于n型表面层上。表面层最好是As或Sb表面层。形成AR的步骤包括以下的步骤：沉积或形成厚度在1.5奈米到8奈米之间的薄氧化层于浅的表面层上，以及沉积不同于薄氧化层的第二介电层(例如氮化矽层)于薄氧化层上。