薄膜熔丝相变唯读记忆体及其制造方法

摘要

一种记忆体装置，包含一个有一顶端面之第一电极、一个有一顶端面之第二电极，以及一介于第一电极和第二电极之间的绝缘构件，该绝缘构件在第一电极和第二电极之间的顶端表面附近有一厚度。一记忆体材料之电桥越过该绝缘构件，在第一电极和第二电极之间穿过绝缘构件形成一路径。提供一这样的记忆体细胞阵列，在此阵列中，数个电极元素和其间的绝缘构件在积体电路上构成一电极层。此记忆体材料电桥有次微影尺寸。