氮化物类化合物半导体发光元件之制造方法

摘要

于氮化物系化合物半导体发光元件之制造方法中，于基板(10)上形成含有复数个氮化物系化合物半导体层(5，6)之半导体积层构造，利用雷射照射将基板自半导体积层构造剥离，并且洗净基板剥离后所露出之半导体积层构造之露出表面(81)，于该经洗净之露出表面上形成电极(7；11)。