矽单晶之育成方法

摘要

本发明系关于矽单晶之育成方法。其系在「热应力被育成中之矽单晶之侧面部所负担」之条件下，依柴氏长晶法来育成矽单晶。且，将育成单晶之周围气体，设为非活性气体与含氢原子物质之气体的混合气体。