具有深开口之半导体装置的制造方法

摘要

提供一种具有深开口之半导体装置的制造方法，该方法包含：在一基板上形成一绝缘层；选择性地蚀刻该绝缘层以形成第一开口；扩大该第一开口的区域；在该已扩大之第一开口的侧壁上形成抗曲间隔物；以及蚀刻残留在该已扩大之第一开口下的该绝缘层部份并形成第二开口。