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发明名称
陶磁介电材料及其制备方法及卑金属积层陶瓷电容器
摘要
本发明揭露一种可使用在生产卑金属积层陶瓷电容器内的陶瓷介电材料,此陶瓷介电材料内含有一些金属微粒,在烧结时,这些金属微粒因具有较高的氧化活性,可当作氧的吸收器,以避免卑金属内电极被氧化,而且金属微粒在氧化后,可融入陶瓷介电材料中,因而此一陶瓷介电材料具有极佳的抗还原能力,可与金属镍或金属铜的卑金属内电极在一般工业级氮气甚至在空气中一起进行共烧生产卑金属积层陶瓷电容器,并且不须要后续热处理。
申请公布号
TW200701274
申请公布日期
2007.01.01
申请号
TW094121464
申请日期
2005.06.27
申请人
国立台湾大学
发明人
段维新;黄永庆
分类号
H01G4/12(2006.01)
主分类号
H01G4/12(2006.01)
代理机构
代理人
古明峰
主权项
地址
台北市大安区罗斯福路4段1号
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