发明名称 电路仿真方法
摘要 本发明公开了一种电路模拟之方法,它可以利用于细微化积体电路设计方面,并可得到信赖性和精确度之提高。于本发明之电路模拟方法中,基于由电路之光罩平面图资料作成之参照表和由装置特性之实测资料得到之参数进行电路模拟。于电晶体尺寸以外,基于加于电晶体上之应力,自实测资料抽出参数,再考虑了由应力引起之电晶体特性变化,具有更高精确度和正确性之电路模拟就成为可能。
申请公布号 TWI270175 申请公布日期 2007.01.01
申请号 TW092123576 申请日期 2003.08.27
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 关户真策;大谷一弘;佐原康之;中田和久
分类号 H01L21/82(2006.01) 主分类号 H01L21/82(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种电路模拟之方法,其特征系为: 包括: 以积体电路之光罩平面布置图资料执行包含于上 述积体电路之电子元件之形状认识,取得上述电子 元件之尺寸资料之步骤(a); 测量实测用电子元件之电气特性和测量包括成为 施加于上述电子元件之应力指标之事项之上述实 测用电子元件各部分之尺寸之步骤(b); 以于上述步骤(b)所测量之实测用电子元件之电气 特性资料中,至少基于上述实测用电子元件各部分 之尺寸抽出参数之步骤(c); 利用电路模拟,以上述参数中选择适合于上述积体 电路所包括之上述各个电子元件之参数,执行考虑 对上述电子元件之应力考虑之电路模拟之步骤(d) 。 2.如申请专利范围第1项之电路模拟方法,其特征系 为: 于上述步骤(b),测量至少成为以元件隔离用绝缘膜 施加于上述电子元件之应力之应力指标之事项; 于上述步骤(d),执行考虑了以元件隔离用绝缘膜施 加于上述电子元件之应力之电路模拟。 3.如申请专利范围第1项之电路模拟方法,其特征系 为: 于上述步骤(c)中,基于成为加于上述电子元件上之 应力指标之事项,对于相同尺寸之上述各电子元件 抽出复数个参数。 4.如申请专利范围第1项之电路模拟方法,其特征系 为: 于上述步(d)之前,进一步包含将基于上述步骤(b)获 得之成为应力指标之测量资料作成之追加模型输 入到上述电路模拟器之步骤; 于上述步骤(d),选择适合于上述积体电路所包含之 上述各电子元件之参数之时,加上依据由上述追加 模型作出之补正。 5.如申请专利范围第1项-第4项中任何一项之电路 模拟方法,其特征孙为: 于上述步骤(d)之前,进一步包括: 基于成为加于上述电子元件之应力指标之事项,作 成包括使上述积体电路之上述各电子元件和应该 适用于上述各电子元件之参数对照之资讯参照表 之步骤; 将上述参照表输入到上述电路模拟器之步骤; 于上述步骤(d),选择适用于包括于上述积体电路中 之上述各电子元件之参数之操作,系利用上述参照 表自动执行。 6.如申请专利范围第5项之电路模拟方法,其特征系 为: 上述参照表,为一将包括于上述积体电路所包含之 上述各电子元件和已加权之复数个参数对照之表 。 7.如申请专利范围第1项之电路模拟方法,其特征系 为: 上述电子元件及上述实测用电子元件,系MIS电晶体 或双极电晶体。 8.如申请专利范围第7项之电路模拟方法,其特征系 为: 上述电子元件及上述实测用电子元件,系为具有闸 极电极、闸极绝缘膜、活性区域及包围上述活性 区域之元件隔离用绝缘膜之MIS电晶体; 成为施加于上述电子元件之应力指标之事项,系至 少含有上述活性区域中之上述闸电极位置、上述 活性区域之尺寸及上述元件隔离用绝缘膜之宽度 中之一个事项。 9.如申请专利范围第8项之电路模拟之方法,其特征 系为: 成为施加于上述电子元件之应力指标之事项,系至 少含有上述活性区域之深度、上述元件隔离用绝 缘膜之制造方法、上述元件隔离用绝缘膜之深度 、上述元件隔离用绝缘膜之材料、上述闸极绝缘 膜之尺寸及上述闸极绝缘膜之材料中之一个事项 。 10.如申请专利范围第8项或者第9项之电路模拟之 方法,其特征系为: 于上述步骤(d),执行考虑了以上述闸极绝缘膜施加 于上述电子元件之应力之电路模拟。 11.如申请专利范围第1项之电路模拟之方法,其特 征系为: 于上述步骤(b),至少测量成为由层间绝缘膜施加于 上述电子元件施加之应力之指标之事项; 于上述步骤(d)中,执行考虑了由层间绝缘膜施加于 上述电子元件之应力之电路模拟。 图式简单说明: 图1,显示本发明之第1实施形态所涉及之电路模拟 方法之方块图。 图2,显示本发明之第2实施形态所涉及之电路模拟 方法之方块图。 图3,显示本发明之第2实施形态所涉及之电路模拟 方法之变形例之方块图。 图4,显示本发明之第3实施形态所涉及之电路模拟 方法之方块图。 图5,显示本发明之第4实施形态所涉及之电路模拟 方法之方块图。 图6(a)和图6(b),显示尺寸相同而活性区域中之闸电 极之位置不同之MIS电晶体之平面图。 图7(a)~图7(c),显示使活性区域之尺寸或者活性区域 中之闸电极位置发生变化之MIS电晶体之例之平面 图。 图8(a)~图8(c),显示元件隔离用绝缘膜之尺寸不同之 MIS电晶体之一例之平面图。 图9(a)~图9(c),显示元件隔离用绝缘膜之尺寸不同之 MIS电晶体之一例之平面图。 图10,MIS电晶体之平面图中,为得到叠加了应力影响 之参数所应测定之主要项目之一例之图。 图11(a)和图11(b),显示总结了图10所示应力指标之标 格之图。 图12,显示某一尺寸之MIS电晶体施加了不同之闸极 电压Vg时之电特性之图。 图13,显示使汲极电压Vd和闸极电压Vg一定之情况下 之电晶体闸长与汲极电流之关系之图。 图14,显示做为电路模拟用参数之一之使用区域区 分之例之图。 图15,显示以前之电路模拟装置之构成之方块图。
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