| 主权项 |
1.一种晶片破裂测试方法,包括: 随机地选取位于一晶片四周边缘之复数个周边电 路单元,并测试该些周边电路单元之功能是否正常 ; 当该些周边电路单元其中一者之功能不正常时,选 取位于该晶片角落之至少一角落电路单元,并测试 该角落电路单元之功能是否正常; 当该角落电路单元之功能不正常时,选取位于该晶 片之一长边上复数个长边电路单元,并测试该些长 边电路单元之功能是否正常; 当同一长边上之其中二长边电路单元功能不正常 时,从该长边往另一长边方向选取位于该晶片内部 之至少一内部电路单元,并测试该内部电路单元之 功能是否正常;以及 当该内部电路单元功能正常时,选取位于该晶片中 心之至少一中心电路单元,并测试该中心电路单元 之功能是否正常。 2.如申请专利范围第1项所述之晶片破裂测试方法, 其中该些电路单元为动态记忆体单元、动态随机 存取记忆体单元或快闪记忆体单元。 3.如申请专利范围第1项所述之晶片破裂测试方法, 其中测试各电路单元之功能是否正常之步骤包含: 输入一测试输入讯号至该电路单元; 从该电路单元读取一测试输出讯号;以及 判断该测试输入讯号与该测试输出讯号是否相同 。 4.如申请专利范围第3项所述之晶片破裂测试方法, 其中当该测试输入讯号与该测试输出讯号相同时, 判断该电路单元之功能为正常;以及当该测试输入 讯号与该测试输出讯号不同时,判断该电路单元之 功能为不正常。 5.如申请专利范围第1项所述之晶片破裂测试方法, 更包含自一晶圆切割出该晶片。 6.如申请专利范围第1项所述之晶片破裂测试方法, 更包含当该中心电路单元功能正常时,判断该晶片 之功能丧失是由破裂所造成。 7.一种晶片破裂测试方法,包括: 测试位于一晶片四周边缘之全部周边电路单元功 能是否正常; 当位于该晶片同一长边上之该些周边电路单元,其 中二者之功能不正常时,从该长边往另一长边方向 选取位于该晶片内部之至少一内部电路单元,并测 试该内部电路单元之功能是否正常; 当该内部电路单元功能正常时,选取位于该晶片中 心之至少一中心电路单元,并测试该中心电路单元 之功能是否正常;以及 当该中心电路单元功能正常时,判断该晶片之功能 丧失是由破裂所造成。 8.如申请专利范围第7项所述之晶片破裂测试方法, 其中该些电路单元为动态记忆体单元、动态随机 存取记忆体单元或快闪记忆体单元。 9.如申请专利范围第7项所述之晶片破裂测试方法, 其中测试各电路单元之功能是否正常之步骤包含: 输入一测试输入讯号至该电路单元; 从该电路单元读取一测试输出讯号;以及 判断该测试输入讯号与该测试输出讯号是否相同 。 10.如申请专利范围第9项所述之晶片破裂测试方法 ,其中当该测试输入讯号与该测试输出讯号相同时 ,判断该电路单元之功能正常;以及当该测试输入 讯号与该测试输出讯号不同时,判断该电路单元之 功能不正常。 11.如申请专利范围第7项所述之晶片破裂测试方法 ,更包含: 自一晶圆切割出该晶片。 12.一种晶片破裂测试装置,包括: 一周边电路单元测试装置,用以选取位于一晶片四 周边缘之至少一周边电路单元,并测试该周边电路 单元之功能是否正常; 一角落电路单元测试装置,耦接该周边电路单元测 试装置,用以当该周边电路单元之功能不正常时, 选取位于该晶片角落之至少一角落电路单元,并测 试该角落电路单元之功能是否正常; 一长边电路单元测试装置,耦接该角落电路单元测 试装置,用以当该角落电路单元之功能不正常时, 选取位于该晶片之一长边上复数个长边电路单元, 并测试该些长边电路单元之功能是否正常; 一内部电路单元测试装置,耦接该长边电路单元测 试装置,用以当同一长边上之其中二长边电路单元 功能不正常时,从该长边往另一长边方向选取位于 该晶片内部之至少一内部电路单元,并测试该内部 电路单元之功能是否正常; 一中心电路单元测试装置,耦接该内部电路单元测 试装置,用以当该内部电路单元功能正常时,选取 位于该晶片中心之至少一中心电路单元,并测试该 中心电路单元之功能是否正常;以及 一晶片破裂判断装置,耦接该中心电路单元测试装 置,用以当该中心电路单元功能正常时,判断该晶 片之功能丧失是由破裂所造成。 13.如申请专利范围第12项所述之晶片破裂测试装 置,其中该些电路单元为动态记忆体单元、动态随 机存取记忆体单元或快闪记忆体单元。 14.如申请专利范围第12项所述之晶片破裂测试装 置,其中各电路单元测试装置产生一测试输入讯号 至一电路单元,以及从该电路单元读取一测试输出 讯号。 15.如申请专利范围第14项所述之晶片破裂测试装 置,其中当该测试输入讯号与该测试输出讯号相同 时,该电路单元测试装置判断该电路单元之功能为 正常;以及当该测试输入讯号与该测试输出讯号不 同时,该电路单元测试装置判断该电路单元之功能 为不正常。 16.如申请专利范围第12项所述之晶片破裂测试装 置,其中该周边电路单元测试装置、该角落电路单 元测试装置、该长边电路单元测试装置、该内部 电路单元测试装置与该中心电路单元测试装置系 设置于同一测试机台。 图式简单说明: 第1图是单一晶片上破裂之示意图。 第2图系绘示本发明一较佳实施例中之电路单元示 意图。 第3图系绘示本发明一较佳实施例之流程图。 第4图系绘示本发明另一较佳实施例之流程图。 第5图系绘示本发明另一较佳实施例之晶片破裂测 试装置图。 |
