单晶碳化矽薄膜的制造方法及其制造装置

摘要

【目的】廉价且容易地制造单晶碳化矽薄膜。【构成】具备：设置有成膜用SOI基板100之成膜室200；对此成膜室200供给单晶碳化矽薄膜的制造所需的各种气体G1～G4之气体供给手段300；处理供给该成膜室200的当作惰性气体G1的氩气、当作碳氢化合物系气体G2的丙烷气体、当作载气G3的氢气以及氧气G4之气体处理手段500；以及控制该成膜室200的温度之温度控制手段400。

主权项

1.一种单晶碳化矽薄膜的制造方法,其特征为: 藉由设置成膜用SOI基板于成膜室内,流通氢气同时 一边以碳氢化合物系气体对氢气1至5体积%的比例 流通,一边加热成膜室内的环境温度到1200到1405℃, 使该成膜用SOI基板表面的矽层化学反应,变成单晶 碳化矽薄膜。 2.如申请专利范围第1项所述之单晶碳化矽薄膜的 制造方法,其中该化学反应系在大气压下进行。 3.如申请专利范围第1项或第2项所述之单晶碳化矽 薄膜的制造方法,其中在所得到的单晶碳化矽薄膜 上,过剩地使其化学反应到碳薄膜沉积为止。 4.如申请专利范围第3项所述之单晶碳化矽薄膜的 制造方法,其中在以预定比例混合有氧气的惰性气 体环境下,令成膜用SOI基板为550℃以上,藉由蚀刻 除去过剩地沉积于单晶碳化矽薄膜上的碳薄膜。 5.一种单晶碳化矽薄膜的制造装置,其特征包含: 设置有成膜用SOI基板的成膜室; 对此成膜室供给单晶碳化矽薄膜的制造所需的各 种气体之气体供给手段; 处理供给到该成膜室的气体之气体处理手段;以及 控制该成膜室的温度之温度控制手段。 图式简单说明: 图1系与本发明的实施形态有关的单晶碳化矽薄膜 的制造装置的概略构成图。