| 主权项 |
1.一种半导体结构,包括: 一隔离区域,其形成于半导体材料上面;及 一柱状物,其以该半导体材料形成于隔离区域下面 ,其中该柱状物以第一介电质材料覆盖,以形成空 隙。 2.如申请专利范围第1项之半导体结构,进一步包括 形成于隔离区域上面之电子组件。 3.如申请专利范围第2项之半导体结构,其中电子组 件包括被动装置或结合衬垫。 4.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中半导体 材料包括单结晶系之矽。 5.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中柱状物 涂布第二介电质材料。 6.如申请专利范围第5项之半导体结构,其中第二介 电质材料包括热生长氧化物或氮化矽。 7.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中第一介 电质材料包括沈积之二氧化矽。 8.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中空隙延 伸进入半导体材料中至少5微米。 9.一种制造半导体结构之方法,包括步骤: 在半导体基板之隔离区域下面,形成半导体材料之 柱状物;及 以第一介电质材料覆盖柱状物,以形成空隙。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中形成柱状物 之步骤进一步包括步骤: 从半导体基板移除半导体材料以形成一空腔; 热氧化空腔之侧壁,以形成二氧化矽层;及 蚀刻二氧化矽层,留下半导体材料之柱状物。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中热氧化步骤 包括消耗一部分半导体材料的步骤。 12.如申请专利范围第9项之方法,其中第一介电质 材料包括沈积之二氧化矽。 13.如申请专利范围第9项之方法,其中半导体材料 包括矽。 14.如申请专利范围第9项之方法,进一步包括在隔 离区域上面,形成被动组件或结合衬垫的步骤。 15.一种半导体装置,包括: 一电子组件;及 一半导体基板,其具有隔离区域以形成电子组件, 其中隔离区域包含矽之柱状物,该柱状物并延伸到 半导体基板中。 16.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中隔离 区域包含形成于矽之柱状物上的帽层。 17.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中该帽 层形成一空隙。 18.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中矽之 柱状物延伸进入半导体基板至少5微米。 19.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中帽层 系由沈积之二氧化矽或氮化矽所组成。 20.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中电子 组件系形成于隔离区域上面。 21.如申请专利范围第20项之半导体装置,其中电子 组件包括被动装置或半导体装置之结合衬垫。 22.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中以二 氧化矽形成隔离区域。 23.一种制造半导体装置之方法,包括步骤: 在半导体基板之隔离区域下面,形成矽之柱状物, 其中矽之柱状物以第一介电质材料覆盖,以形成一 空隙;及 在隔离区域上,形成一电子组件。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中第一介电质 材料包括沈积之二氧化矽或氮化矽。 25.如申请专利范围第23项之方法,其中电子组件包 括被动装置或结合衬垫。 26.如申请专利范围第23项之方法,其中以二氧化矽 形成隔离区域。 27.一种半导体结构,包括: 一半导体基板(10),其具有以柱状物形成之凹陷区 域;及 沈积于凹陷区域之介电质材料,其并覆盖柱状物以 于柱状物与凹陷区域之侧壁之间,形成空隙。 28.如申请专利范围第27项之半导体结构,其中以半 导体材料形成柱状物。 29.一种制造半导体结构之方法,包括步骤: 氧化半导体材料中之空腔的侧壁,以于邻接空腔之 间形成连续的氧化物层;及 蚀刻连续的氧化物层,以留下半导体材料之柱状物 。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中空腔系形成 于半导体材料之区域中,其进一步包括在该区域上 面沈积介电质材料,以形成邻接该柱状物之空隙的 步骤。 图式简单说明: 图1A是在第一制造阶段之后,半导体装置之第一剖 面图; 图1B是在第一制造阶段之后,半导体装置之第二剖 面图; 图2是在第一制造阶段之后,半导体装置之俯视图; 图3A是在第二制造阶段之后,半导体装置之第一剖 面图; 图3B是在第二制造阶段之后,半导体装置之第二剖 面图; 图4是在第二制造阶段之后,半导体装置之俯视图; 图5A是在第三制造阶段之后,半导体装置之第一剖 面图; 图5B是在第三制造阶段之后,半导体装置之第二剖 面图; 图6是在第三制造阶段之后,半导体装置之俯视图; 图7A系半导体装置之第一个其他具体实施例之俯 视图; 图7B系半导体装置之第二个其他具体实施例之俯 视图; 图7C系半导体装置之第三个其他具体实施例之俯 视图; 图7D系半导体装置之第四个其他具体实施例之俯 视图; 图7E系半导体装置之第五个其他具体实施例之俯 视图。 |
