选择性蚀刻后之表面处理

摘要

本发明系关于一种处理包含至少一矽锗(SiGe)表面层(21)及在该SiGe层下方之一应变矽层(22)之晶圆(20)的方法。该应变矽层(22)系藉由将一蚀刻溶液(11)分配至旋转晶圆上而对该SiGe层进行选择性蚀刻之步骤来剥蚀。选择性蚀刻之后接着为利用一分配至该旋转晶圆(20)上之臭氧水溶液(12)来清洗该应变矽层(22)之表面之一步骤。