P型金氧半导体电晶体与半导体元件及其形成方法

摘要

一种具有降低源极或汲极区域中掺杂物扩散之的PMOS电晶体及其形成方法。PMOS电晶体包括掺杂P型杂质及扩散延迟材料的源极或汲极区域。PMOS电晶体更包括一闸极介电层，位于半导体基板的通道上、一闸极电极，位于闸极介电层之上以及一轻掺杂源极或汲极区域对齐闸极电极之边缘。其中扩散延迟材料较佳包括碳、氟、氮或上述材料之组合。