蚀刻剂,以及使用该蚀刻剂与其制得之结构来制造包含导线之薄膜电晶体基材的方法

摘要

本发明系提供一种蚀刻剂、一种使用该蚀刻剂以制造一导线的方法、以及一种使用该蚀刻剂以制造一薄膜电晶体(TFT)基板的方法。该蚀刻剂包括具有式1之材料、胺乙酸，且其余为去离子水，其中该式1系表示如下： M(OH)XLY … (1)其中M系指Zn、Sn、Cr、Al、Ba、Fe、Ti、Si或B，X系指2或3，L系指H2O、NH3、CN、COR或NH2R，Y系指0、1、2或3，且R系指一烷基。