| 主权项 |
1.一种光罩,包括: 一基底,该基底包括多数个遮蔽区与多数个透光区 ,其中各该透光区系位于相邻的该些遮蔽区之间, 且各具有一凹陷,该些凹陷之顶角系位于该些遮蔽 区与该些透光区的边界上,该些凹陷之底面与该些 遮蔽区之该基底表面的距离系大致相等;以及 多数个遮蔽图案,配置在该基底的该些遮蔽区上, 且该些遮蔽图案的边缘部分覆盖住该些凹陷之顶 角。 2.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中该些遮蔽 图案系由不透光材质所构成。 3.如申请专利范围第2项所述之光罩,其中该不透光 材质包括铬。 4.如申请专利范围第2项所述之光罩,其中该些凹陷 之剖面呈矩形。 5.如申请专利范围第4项所述之光罩,其中该些凹陷 之底面与该些遮蔽区之该基底表面的距离为可使 通过该些透光区的光线产生180度相移。 6.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中该些凹陷 之剖面呈矩形。 7.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中该些凹陷 之剖面呈T型。 8.如申请专利范围第1项所述之光罩,其中该基底包 括一图案密集区与一图案疏松区,且该图案密集区 与该图案疏松区分别具有该些遮蔽区与该些透光 区。 9.一种光罩,包括: 一基底,该基底包括多数个遮蔽区与多数个透光区 ,其中各该透光区系位于相邻的该些遮蔽区之间, 且各具有一凹陷,该些凹陷之顶角系位于该些遮蔽 区与该些透光区的边界上,该些凹陷之底面与该些 遮蔽区之该基底表面的距离系大致相等;以及 多数个遮蔽图案,配置在该基底的该些遮蔽区上, 且该些遮蔽图案的边缘部分覆盖住该些凹陷之顶 角,该些遮蔽图案系由透光率为5%-10%的微透光材质 所构成。 10.如申请专利范围第9项所述之光罩,其中该微透 光材质包括矽化钼。 11.如申请专利范围第9项所述之光罩,其中该些凹 陷之剖面呈矩形。 12.如申请专利范围第9项所述之光罩,其中该些凹 陷之底面与该些遮蔽区之该基底表面的距离为可 使通过该些透光区的光线产生360度相移。 13.如申请专利范围第9项所述之光罩,其中该基底 包括一图案密集区与一图案疏松区,且该图案密集 区与该图案疏松区分别具有该些遮蔽区与该些透 光区。 14.一种光罩,包括: 一基底,该基底具有多数个凹陷;以及 一图案层,配置于该基底上,该图案层具有多数个 开口,该些开口与该基底之该些凹陷对应,且该些 开口之下周缘与该些凹陷之上周缘重叠,该些凹陷 之底面距离该图案层所覆盖之该基底的表面的距 离大致相等。 15.如申请专利范围第14项所述之光罩,其中该图案 层系由不透光材质所构成。 16.如申请专利范围第15项所述之光罩,其中该不透 光材质包括铬。 17.如申请专利范围第15项所述之光罩,其中该些凹 陷之剖面呈矩形。 18.如申请专利范围第17项所述之光罩,其中该些凹 陷之底面与该基底表面的距离为可使通过该些凹 陷的光线产生180度相移。 19.如申请专利范围第14项所述之光罩,其中该图案 层系由透光率为5%-10%的微透光材质所构成。 20.如申请专利范围第19项所述之光罩,其中该微透 光材质包括矽化钼。 21.如申请专利范围第19项所述之光罩,其中该些凹 陷之剖面呈矩形。 22.如申请专利范围第21项所述之光罩,其中该些凹 陷之底面与该基底表面的距离为可使通过该些凹 陷的光线产生360度相移者。 23.如申请专利范围第14项所述之光罩,其中该些凹 陷之底面与该基底表面的距离为可使通过该些凹 陷的光线产生180度相移者。 24.如申请专利范围第14项所述之光罩,其中该些凹 陷之剖面呈T型。 图式简单说明: 第1图系绘示习知一种传统式光罩。 第2图系绘示采用第1图所示之传统光罩其在晶圆 上之影像电场振幅强度之示意图。 第3图系绘示习知一种Levenson型光罩。 第4图系绘示习知一种唯相移层型光罩。 第5图系绘示习知一种辅助线型光罩。 第6图系绘示习知一种减光型光罩。 第7图系绘示习知一种边缘型光罩。 第8图系绘示习知一种减光边缘型光罩。 第9A图系绘示本发明实施例之一种光罩。 第9B图系绘示本发明实施例之另一种光罩。 第10图系绘示当本发明第9A图所示之光罩的遮蔽图 案为不透光时,其在晶圆上之影像电场振幅强度之 示意图。 第11图系绘示当本发明第9A图所示之光罩的遮蔽图 案为微透光的相移层时,其在晶圆上之影像电场振 幅强度之示意图。 |
