| 主权项 |
1.一种含有发射体之装置的制造方法,包含: 将一集束纤维段片的第一面曝露于一反应液体,以 使该等纤维段的第一端与该反应液体反应而由该 等纤维段除去材料; 沈积一覆层材料于该被除去材料的第一面上;及 将该集束纤维段片的第二面曝露于一反应液体,以 使该等纤维段的第二端与该反应液体反应来由该 等纤维段除去材料而曝露出前述覆层材料。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该反应液体包 含一氢氟酸的浸渍液。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该反应液体包 含一氢氟酸的喷洒液。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该覆层材料包 含一选自下列组群的低电子亲和性材料:-C,PdOx, Pd,Mo,Ni,Cr,Cu,Au,Pt,Ir,钻石及其相似物。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中将该集束纤维 段片的第一面曝露于一反应液体的步骤乃包括由 该等第一端除去材料来形成修正端部和胞穴等,其 中沈积覆层材料于该已被除去材料之第一面的步 骤乃包括将该覆层材料沈积在该等修正端部上及 该等胞穴内。 6.如申请专利范围第1项之方法,更包含在该覆层材 料上制成一介电层。 7.如申请专利范围第6项之方法,更包含在该介电层 上固设一基板。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该曝露的覆层 材料会形成一电子发射体。 9.如申请专利范围第1项之方法,更包含: 提供一透明基板并有一透明导电材料沈积于其上; 在该透明基板上制成一介电间隔物; 将该介电间隔物的选择区域图案化并蚀刻而制成 可容装彩色萤光质的腔室等;及 将被蚀刻的选择区域对准该曝露的覆层材料来形 成一场发射装置。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中会有一闸极 电极被制设在该介电间隔物上。 11.如申请专利范围第9项之方法,更包含: 沈积一透明导电材料于该透明基板上,并图案化该 透明导电材料。 12.如申请专利范围第9项之方法,更包含: 在将该场发射装置泵成真空之后,密封该场发射装 置。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中有一闸极电 极层会被沈积并经图案化于该集束纤维段片的第 二面上。 14.一种场发射装置,包含: 一由以下步骤制成之阴极板: 将一集束纤维段片的第一面曝露于一反应液体,以 使该等纤维段的第一端与该反应液体反应而由该 等纤维段除去材料,其中相邻纤维段之外表面系彼 此接触; 沈积一覆层材料于该被除去材料的第一面上;及 将该集束纤维段片的第二面曝露于一反应液体,以 使该等纤维段的第二端与该反应液体反应来由该 等纤维段除去材料而曝露出前述覆层材料;以及 一由以下步骤制成之阳极板: 提供一透明基板并有一透明导电材料沈积于其上; 在该透明基板上制成一介电间隔物;及 蚀刻该介电间隔物的选择区域来形成可容纳彩色 萤光质的腔室; 且该阳极板和阴极板会被并设在一起,而使该等蚀 刻的选择区域对准该曝露的覆层材料。 15.如申请专利范围第14项之场发射装置,其中沈积 在该透明基板上的透明导电材料会被图案化来形 成阳极电极。 16.如申请专利范围第14项之场发射装置,其中被并 设在一起的阳极板和阴极板会包含一密封物可供 该被并设在一起的阳极板和阴极板被泵成真空。 17.如申请专利范围第14项之场发射装置,其中该反 应液体包含一氢氟酸的浸渍液。 18.如申请专利范围第14项之场发射装置,其中该反 应液体包含一氢氟酸的喷洒液。 19.如申请专利范围第14项之场发射装置,其中该覆 层材料包含一选自下列组群的低电子亲和性材料: -C,PdOx,Pd,Mo,Ni,Cr,Cu,Au,Pt,Ir,钻石及其相似物。 20.一种含有发射体之装置的制造方法,包含: 提供一纤段段片,该各纤维段具有一第一端与一第 二端; 将该等纤维段的第一端曝露于一反应液体,以使该 反应液体与该等第一端反应而由该等第一端除去 材料; 沈积一覆层材料于该等第一端上; 沈积一介电材料于该等被覆层的第一端上,并固接 一基板; 将该等纤维段的第二端曝露于一反应液体,以使该 反应液体与该等第二端反应而由该等第二端除去 材料来曝露出前述覆层材料; 提供一含有容装彩色萤光质之腔室的阳极板;及 对准该等腔室与该曝露的覆层材料来形成一场发 射装置。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中该反应液体 包含一氢氟酸的浸渍液。 22.如申请专利范围第20项之方法,其中该反应液体 包含一氢氟酸的喷洒液。 23.如申请专利范围第20项之方法,其中该覆层材料 包含一选自下列组群的低电子亲和性材料:-C, PdOx,Pd,Mo,Ni,Cr,Cu,Au,Pt,Ir,钻石及其相似物。 24.如申请专利范围第20项之方法,更包含: 将该场发射装置泵成真空并密封。 图式简单说明: 第1图为一习知的场发射装置之简化示图; 第2图为本发明一实施例之阴极板的制造流程图; 第3图为本发明一实施例之简体段片的简化示图; 第4图为本发明一实施例之蚀刻槽的简化示图; 第5图为本发明一实施例之个别纤维短段在接受蚀 刻处理之前及之后的简化示图; 第6图为本发明一实施例之被蚀刻纤维阵列的简化 示图; 第7A~7C图为本发明一实施例之阴极板制法的简化 示图; 第7D图为本发明一变化实施例之阴极板制法的简 化示图; 第8A图为本发明一实施例之阳极板以微影图案化 来制成而具有腔穴可容纳RGB彩色萤光质的简化示 图; 第8B图为本发明另一实施例之阳极板以微影图案 化来制成而具有腔穴可容纳RGB彩色萤光质的简化 示图;及 第9图为本发明一实施例之场发射装置的简化示图 。 |
