发明名称 电路板嵌埋光电元件结构
摘要 一种电路板嵌埋光电元件结构,主要包括具有至少二贯穿开口之承载板;分别容置于该些开口内之第一及第二光电元件,该第一及第二光电元件之作用面具有光作用区及多数电极垫;形成于该承载板表面、第一及第二光电元件之作用面之介电层,且该介电层中形成有用以露出该第一及第二光电元件之电极垫之开孔,及用于露出该第一及第二光电元件之光作用区之开口;以及形成于该介电层表面且与该第一及第二光电元件之电极垫电性连接之线路层。复包括于该介电层及线路层上形成绝缘保护层,且该绝缘保护层表面复形成至少一光传导件。俾将光电元件埋入电路板,以缩小产品封装体积,以符合电子装置轻薄短小需求。并可经由该光传导件使该第一及第二光电元件之间得进行讯号传输与接收,以降低讯号传递损失及提升光电讯号传输品质。
申请公布号 TWI270327 申请公布日期 2007.01.01
申请号 TW094139383 申请日期 2005.11.10
申请人 全懋精密科技股份有限公司 发明人 许诗滨
分类号 H05K1/18(2006.01);H05K3/46(2006.01);G02B6/00(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) 主分类号 H05K1/18(2006.01)
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 1.一种电路板嵌埋光电元件结构,包括: 一承载板,其具有至少二贯穿之开口; 第一及第二光电元件,系分别容置于该些承载板之 二开口内,该第一及第二光电元件均具有一作用面 及与作用面相对应之非作用面,且该作用面具有多 数电极垫及光作用区; 介电层,其系形成于该承载板表面、第一及第二光 电元件之作用面,且该介电层中形成有多数用以露 出该第一及第二光电元件之电极垫的开孔,以及用 于露出该第一及第二光电元件之光作用区之开口; 线路层,形成于该介电层表面,并藉由形成于该介 电层之开孔中的导电结构而电性连接至该第一及 第二光电元件之电极垫;以及 至少一光传导件,系形成于该线路层表面,且该光 传导件至少一端位于介电层其中一开口之顶端。 2.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,复包括一绝缘保护层,系形成于该线路层及介 电层表面,且该绝缘保护层形成有开口用以显露该 第一及第二光电元件之光作用区,以供该光传导件 形成于该绝缘保护层表面,且该光传导件至少一端 位于绝缘保护层其中一开口之顶端。 3.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,复包括于该承载板未形成介电层之表面形成另 一承载板。 4.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,其中,该承载板系为金属板、陶瓷板、绝缘板 及有机电路板其中一者。 5.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,其中,该承载板系为金属板、陶瓷板、绝缘板 及有机电路板所组群组之叠合结构。 6.如申请专利范围第4或5项之电路板嵌埋光电元件 结构,其中,该有机电路板系为印刷电路板及IC封装 基板其中之一者。 7.如申请专利范围第3项之电路板嵌埋光电元件结 构,其中,该另一承载板系为金属板、陶瓷板、绝 缘板及有机电路板其中一者。 8.如申请专利范围第3项之电路板嵌埋光电元件结 构,其中,该另一承载板系为金属板、陶瓷板、绝 缘板及有机电路板所组群组之叠合结构。 9.如申请专利范围第7或8项之电路板嵌埋光电元件 结构,其中,该有机电路板系为印刷电路板及IC封装 基板其中之一者。 10.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,复包括于该介电层及线路层表面形成一线路增 层结构,且该线路增层结构中对应该介电层之开口 位置形成有开口以分别露出该第一及第二光电元 件之光作用区。 11.如申请专利范围第10项之电路板嵌埋光电元件 结构,其中,该线路增层结构包括有至少一介电层 、叠置于该介电层上之线路层,以及形成于该介电 层中之导电结构。 12.如申请专利范围第10项之电路板嵌埋光电元件 之制法,其中,该线路增层结构外表面复形成有一 绝缘保护层,且该绝缘保护层形成有开口以显露该 第一及第二光电元件之光作用区。 13.如申请专利范围第1或2项之电路板嵌埋光电元 件结构,其中,该光传导件表面复形成有一保护罩 。 14.如申请专利范围第13项之电路板嵌埋光电元件 结构,其中,该保护罩系为金属壳体及封装胶体其 中一者。 15.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,复包括形成于第一及第二光电元件之非作用面 的散热块。 16.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,其中,该光传导件至少一端具有一反射面。 17.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,其中,该光传导件系于一核心层表面形成披覆 层。 18.如申请专利范围第17项之电路板嵌埋光电元件 结构,其中,该介电层及线路层表面形成有光传导 件之披覆层,且该光传导件之一端位于该介电层之 开口顶端,以对应该第一及第二光电元件之光作用 区。 19.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,其中,该第一光电元件系包括光主动元件及光 被动元件其中之一者。 20.如申请专利范围第19项之电路板嵌埋光电元件 结构,其中,该第二光电元件系与第一光电元件相 对应之光主动元件及光被动元件其中之一者。 21.如申请专利范围第19或20项之电路板嵌埋光电元 件结构,其中,该光主动元件系包括雷射二极体( laser diode,LD)、发光二极体(light emitting diode,LED)及 垂直共振腔面射型雷射二极体(vertical cavity surface emitting laser,VCSEL)其中之一者。 22.如申请专利范围第19项或第20项之电路板嵌埋光 电元件结构,其中,该光被动元件系包括光二极体 及光感测元件之其中一者。 23.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,复包括于该承载板之开口中接置有至少一半导 体元件,而该半导体元件具有一作用面及与作用面 相对之非作用面,于该作用面具有多数电极垫,且 使该线路层中的导电结构电性连接至该半导体元 件之电极垫。 24.如申请专利范围第23项之电路板嵌埋光电元件 结构,复包括于该半导体元件之非作用面接置有一 散热块。 25.如申请专利范围第1项之电路板嵌埋光电元件结 构,其中,该贯穿介电层之开口中填入有导光材料 及抽真空其中一者。 26.如申请专利范围第2项之电路板嵌埋光电元件结 构,其中,该贯穿介电层及绝缘保护层之开口中填 入有导光材料及抽真空其中一者。 27.如申请专利范围第10项之电路板嵌埋光电元件 结构,其中,该贯穿介电层及线路增层结构之开口 中填入有导光材料及抽真空其中一者。 28.如申请专利范围第12项之电路板嵌埋光电元件 结构,其中,该贯穿介电层、线路增层结构及绝缘 保护层之开口中填入有导光材料及抽真空其中一 者。 29.如申请专利范围第18项之电路板嵌埋光电元件 结构,其中,该贯穿介电层之开口中填入有导光材 料及抽真空其中一者。 图式简单说明: 第1图系为美国专利公告第6,839,476号之剖面示意图 ; 第2A图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第一 实施例之剖面示意图; 第2B图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第二 实施例之剖面示意图; 第2C图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第二 实施例之另一实施剖面示意图; 第2D图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第三 实施例之剖面示意图; 第2E图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第三 实施例之另一实施剖面示意图; 第3A图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第四 实施例之剖面示意图; 第3B图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第四 实施例之另一实施剖面示意图; 第4A图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第五 实施例之剖面示意图; 第4B图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第五 实施例之另一实施剖面示意图; 第5A图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第六 实施例之剖面示意图; 第5B图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第六 实施例之另一实施剖面示意图;以及 第6图系为本发明电路板嵌埋光电元件结构第七实 施例之剖面示意图。
地址 新竹市科学园区力行路6号
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