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Halbleiterschutzstruktur (10), geeignet für eine elektrostatische Entladung (ESD) DOLLAR A - mit einem ersten Teilbereich (12), der einen ersten, insbesondere parasitären Bipolartransistor zur Ableitung der elektrostatischen Entladung aufweist, und DOLLAR A - mit einem zweiten Teilbereich (14a, 14b), der einen zweiten, insbesondere parasitären Bipolartransistor aufweist, DOLLAR A - wobei ein erstes Basishalbleitergebiet (34, 46, 42) des ersten Bipolartransistors an ein zweites Basishalbleitergebiet (34', 46', 42') des zweiten Bipolartransistors grenzt, DOLLAR A - wobei das erste Basishalbleitergebiet (34, 46, 42) des ersten Bipolartransistors und das zweite Basishalbleitergebiet (34', 46', 42') des zweiten Bipolartransistors einen selben Leitungstyp aufweisen und DOLLAR A - wobei der erste Bipolartransistor und der zweite Bipolartransistor derart ausgebildet sind, dass zur Ableitung der elektrostatischen Entladung zumindest temporär ein Basisquerstrom von dem zweiten Basishalbleitergebiet (34', 46', 42') in das erste Basishalbleitergebiet (34, 46, 42) fließt und den ersten Bipolartransistor aufsteuert.
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