非挥发性记忆体的制造方法

摘要

本发明系提供一种非挥发性记忆体的制造方法，特别是一种电阻式非挥发性记忆体，其步骤包括有提供一基底，在该基底上形成一下导电层，利用在该下导电层上涂布一含有锆与锶之前趋物的溶液，并施以一乾燥步骤，以在该下导电层上形成一含有锆酸锶的电阻层，以及在该电阻层上形成一上导电层。