发明名称 在金属氧化物半导体场效电晶体胞元间具有注入区之绝缘闸双极性电晶体
摘要 在本案中,一种扁平或槽沟拓朴之胞元MOS闸装置具有基极注入区于多对的胞元间被形成以注入少数载体以调变漂移区之电阻。
申请公布号 TW200644244 申请公布日期 2006.12.16
申请号 TW095114292 申请日期 2006.04.21
申请人 国际整流器公司 发明人 纳德;肯瑟
分类号 H01L29/772(2006.01) 主分类号 H01L29/772(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国