发明名称 | 静态随机存取记忆体及其操作方法 | ||
摘要 | 一种静态随机存取记忆体,至少包括第一存取电晶体及第二存取电晶体、第一反相器以及第二反相器。第一存取电晶体至少是包括底介电层、电荷陷入层、顶介电层与闸极。第一存取电晶体中之电荷陷入层可以储存静态随机存取记忆体中之资料,使资料不会因电源供应的中断而消失。第一反相器因应于第二存取电晶体的运作而选择性启动,第二反相器因应于第一存取电晶体的运作而选择性启动。 | ||
申请公布号 | TW200643956 | 申请公布日期 | 2006.12.16 |
申请号 | TW094119014 | 申请日期 | 2005.06.09 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 刘志拯 |
分类号 | G11C11/412(2006.01) | 主分类号 | G11C11/412(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 |