| 摘要 |
本发明揭示一种于一第一沟渠(11)中制造一双载子电晶体的方法，其中仅应用形成一第一沟渠(11)以及一第二沟渠(12)之一个微影遮罩。形成一集极区域(21)，其系自对准于该第一沟渠(11)以及该第二沟渠(12)中。形成一基极区域(31)，其系自对准于该集极区域(21)之一部份上，其中该集极区域系于该第一沟渠(11)中。形成一射极区域(41)，其系自对准于该基极区域(31)之一部份上。于该第二沟渠(12)中形成一针对该集极区域(21)之接触，且于该第一沟渠(11)中形成一针对该基极区域(31)之接触。该双载子电晶体之制造可整合于一标准CMOS制程中。 |
