于IC晶片上形成去耦电容的方法及其结构

摘要

本发明系揭露一种于IC晶片上形成去耦电容的方法及其结构，其系藉由IC晶片的低金属覆盖区域形成数个金属层，并将金属层分别与地线、电源电压相连接，以在满足金属覆盖规则下形成可作为去耦电容的寄生金属电容，并达到有效的利用晶片空间。