发明名称 半导体装置、半导体装置的制造方法、电子器件、电路基板及电子设备
摘要 一种半导体装置,包括:半导体基板,具有第一面、和与所述第一面相反的一侧的第二面;外部连接端子,形成于所述半导体基板的所述第一面上;第一电极,形成于所述半导体基板的所述第一面上,且与所述外部连接端子电连接;电子元件,形成于所述半导体基板的所述第二面上或者上方;第二电极,电连接于所述电子元件,且具有表面与背面;槽部,形成于所述半导体基板的所述第二面,且具有包含所述第二电极的所述背面的至少一部分的底面;以及导电部,形成于所述槽部的内部,且与所述第二电极的所述背面电连接。
申请公布号 CN1877989A 申请公布日期 2006.12.13
申请号 CN200610088762.7 申请日期 2006.06.05
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 伊东春树;桥元伸晃
分类号 H03H9/25(2006.01) 主分类号 H03H9/25(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1.一种半导体装置,其中,具备:半导体基板,其具有第一面、和与所述第一面相反的一侧的第二面;外部连接端子,其形成于所述半导体基板的所述第一面上;第一电极,其形成于所述半导体基板的所述第一面上,且与所述外部连接端子电连接;电子元件,其形成于所述半导体基板的所述第二面上或者上方;第二电极,其电连接于所述电子元件,且具有表面和背面;槽部,其形成于所述半导体基板的所述第二面,且具有包含所述第二电极的所述背面的至少一部分的底面;以及导电部,其形成于所述槽部的内部,且与所述第二电极的所述背面电连接。
地址 日本东京