| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。本CMOS图像传感器包括：包括有源区的半导体基片，其中光电二极管区和晶体管区限定于所述有源区中；形成于有源区上的栅电极，栅绝缘层插入栅电极和有源区；形成于在栅电极一侧的晶体管区中的第一扩散区，所述第一扩散区用作晶体管的源或漏区，并包括第一导电型的掺杂剂；形成于在栅电极另一侧的光电二极管区中的第二扩散区，所述第二扩散区包括第一导电型的掺杂剂；形成于栅电极两侧上的一对绝缘侧壁；以及形成于光电二极管区中的第二扩散区之上的第三扩散区，所述第三扩散区延伸到接近光电二极管区的绝缘侧壁之一以下的区，并包括第二导电型的掺杂剂。 | ||
| 申请公布号 | CN1877848A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610083371.6 | 申请日期 | 2006.06.06 |
| 申请人 | 东部电子株式会社 | 发明人 | 全寅均 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：半导体基片，包括有源区，其中光电二极管区和晶体管区限定于所述有源区中；栅电极，形成于所述有源区上，栅绝缘层插入所述栅电极和所述有源区；第一扩散区，形成于在所述栅电极一侧的所述晶体管区中，所述第一扩散区用作晶体管的源或漏区，并包括第一导电型的掺杂剂；第二扩散区，形成于在所述栅电极另一侧的所述光电二极管区中，所述第二扩散区包括所述第一导电型的掺杂剂；一对绝缘侧壁，形成于所述栅电极两侧上；以及第三扩散区，形成于所述光电二极管区中的第二扩散区之上，所述第三扩散区延伸到接近所述光电二极管区的绝缘侧壁之一以下的区，并包括第二导电型的掺杂剂。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||