包括沟槽电容器的半导体器件的制造方法

摘要

一种包括沟槽电容器的半导体器件包括半导体衬底，包括窄部分和主部分的沟槽，窄部分的直径同轴地小于主部分处的沟槽直径，提供在半导体衬底中环绕包括窄部分的沟槽的第一电容器电极，沿第一电容器电极的表面提供的电容器绝缘膜，以及提供在沟槽内部的第二电容器电极。

主权项

1.一种包含沟槽电容器的半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底的上表面上形成掩模图形；以及使用掩模图形作为蚀刻掩模在半导体衬底上形成沟槽，其中形成沟槽包括交替地通过第一各向异性蚀刻工艺形成沟槽的主部分并通过第二各向异性蚀刻工艺形成窄部分，在所述窄部分中所述沟槽的直径同轴地降低，并且第二各向异性蚀刻工艺的蚀刻条件与第一各向异性蚀刻工艺的蚀刻条件不同。