METHOD FOR NITRIDING THE GATE OXIDE LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE,申请号EP19990903754-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR NITRIDING THE GATE OXIDE LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号	EP0976148(B1)	申请公布日期	2006.12.13
申请号	EP19990903754	申请日期	1999.02.15
申请人	COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE;FRANCE TELECOM	发明人	BENSAHEL, DANIEL;CAMPIDELLI, YVES;MARTIN, FRANCOIS;HERNANDEZ, CAROLINE
分类号	H01L29/78;H01L21/28;H01L21/318;H01L29/51	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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