| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底；设置在该半导体衬底的预定位置的器件区域；以及隔离该器件区域的浅槽隔离区域。该浅槽隔离区域包括：沟槽；设置在沟槽侧壁的上部的氮化膜衬层；设置在沟槽侧壁的下部的热氧化膜。该浅槽隔离如下设置：将浅槽隔离区域第二部分的宽度设置为比浅槽隔离区域的第一部分的宽度宽，该第二部分设置有该热氧化膜，该第一部分设置有该氮化膜衬层的下端。 | ||
| 申请公布号 | CN1877839A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610054758.9 | 申请日期 | 2006.03.10 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 奥野昌树;岸井贞浩;森冈博;寺原政德;佐藤成生;铃木腕 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;高龙鑫 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：半导体衬底；器件区域，设置在该半导体衬底预定位置；以及浅槽隔离区域，用于隔离该器件区域，该浅槽隔离区域包括：沟槽；氮化膜衬层，设置在该沟槽侧壁的上部；以及热氧化膜，设置在该沟槽侧壁的下部；其中将该浅槽隔离区域具有该热氧化膜的第二部分的第二宽度设置为比该浅槽隔离区域具有该氮化膜衬层下端的第一部分的第一宽度宽。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||