发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供使以下两种方法相协调的方法,这两种方法就是:使LED结构表面粗糙而提高取光效率的方法、与避免低成本的电极焊接点的不良影响的方法((1)形成基于金属或金属氧化物的透明导电膜的电流分散层,(2)形成倒装片结构)。在衬底上作为半导体层叠结构至少具有n型半导体层、由30层或30层以下的量子阱层形成的活性层、p型半导体层的发光二极管中,在半导体层叠结构的表面上形成平坦部分与多个孔。此时,做成:多个孔的表面占有率大于等于10%、小于等于85%,孔开口部的直径大于等于100nm、小于等于4000nm,孔的深度比活性层与平坦部分之间的距离还浅,多个孔的密度大于等于8×10<SUP>5</SUP>个/cm<SUP>2</SUP>、小于等于1.08×10<SUP>10</SUP>个/cm<SUP>2</SUP>。 | ||
申请公布号 | CN1877874A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
申请号 | CN200510124341.0 | 申请日期 | 2005.11.28 |
申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 藤仓序章;中山智 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郝庆芬 |
主权项 | 1.一种发光二极管,在衬底上作为半导体层叠结构至少具有:n型半导体层、由30层或30层以下的量子阱层形成的活性层和p型半导体层,其特征在于:所述半导体层叠结构的表面由平坦部分与多个孔构成,所述多个孔在表面的占有率大于等于10%、小于等于85%,所述孔开口部的直径大于等于100nm、小于等于4000nm,所述孔的深度比所述活性层与所述平坦部分之间的距离还浅,所述多个孔的密度大于等于8×105个/cm2、小于等于1.08×1010个/cm2。 | ||
地址 | 日本东京都 |